製品技術仕様
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
45.6
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
1.5@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
41@4.5V|89@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
89
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
10.8
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
17.4
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
70
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
5900@30V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
60@30V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
1340
Max. Leistungsaufnahme (mW)
6250
Typische Abfallzeit (ns)
20
Typische Anstiegszeit (ns)
235
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
47
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
40
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
1.2@10V|1.7@4.5V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
6.25
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
400
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
20
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.71
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
3
Typische Sperrerholungszeit (ns)
54
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.1
Mindest-Gate-Widerstand (Ohm)
0.3
Max. Gate-Widerstand (Ohm)
1.5
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
45.6
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.02
Verpackungsbreite
5.89
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Lieferantenverpackung
PowerPAK SO EP
Stiftanzahl
8