製品技術仕様
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Prozesstechnologie
0.18um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
40
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
5.6
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
42@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
2.9@4.5V|5.8@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
5.8
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.9
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.1
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
7
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
340@20V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
30@20V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1.2
Typische Ausgangskapazität (pF)
60
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1250
Typische Abfallzeit (ns)
8
Typische Anstiegszeit (ns)
50|20
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
10|14
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
7|12
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
35@10V|41@4.5V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
1.25
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
20
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
125
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.85
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2.8
Typische Sperrerholungszeit (ns)
15
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Mindest-Gate-Widerstand (Ohm)
0.6
Max. Gate-Widerstand (Ohm)
6.6
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
4.3
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.95
Verpackungsbreite
1.3
Verpackungslänge
2.92
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
注文数量