MOSFET

RU1J002YNTCL

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R

ROHM Semiconductor

製品技術仕様

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Small Signal

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  50

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±8

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  0.8

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  0.2

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  10000

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  2200@4.5V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  26@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  150

• Typische Abfallzeit (ns)

  43

• Typische Anstiegszeit (ns)

  8

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  17

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  5

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1(Max)

• Verpackungsbreite

  1.35(Max)

• Verpackungslänge

  2.1(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  UMTF

• Stiftanzahl

  3