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GP BJT

NSS40301MDR2G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

onsemi
データシート 

製品技術仕様
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.21.00.75
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    No
  • Type
    NPN
  • Catégorie
    Bipolar Small Signal
  • Configuration
    Dual Dual Collector
  • Nombre d'éléments par puce
    2
  • Tension de base maximale du collecteur (V)
    40
  • Tension collecteur-émetteur maximale (V)
    40
  • Tension de base maximale de l'émetteur (V)
    6
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 150
  • Tension de saturation maximal d'émetteur de base (V)
    0.9@0.01A@1A
  • Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
    0.115@0.2A@2A|0.115@0.01A@1A|0.06@0.1A@1A|0.011@0.01A@0.1A
  • Courant collecteur CC maximal (A)
    3
  • Courant de coupure de collecteur maximal (nA)
    100
  • Gain de courant CC minimal
    180@2A@2V|180@1A@2V|200@500mA@2V|200@10mA@2V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    783
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.5(Max)
  • Largeur du paquet
    4(Max)
  • Longueur du paquet
    5(Max)
  • Carte électronique changée
    8
  • Nom de lemballage standard
    SO
  • Conditionnement du fournisseur
    SOIC N
  • Décompte de broches
    8
  • Forme de sonde
    Gull-wing

ドキュメントとリソース

データシート
デザインリソース