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GP BJT

JAN2N3501

Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-39

Semicoa Semiconductors

製品技術仕様

• RoHS (Union Européenne)

  Not Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Type

  NPN

• Catégorie

  Bipolar Power

• Matériau

  Si

• Configuration

  Single

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension de base maximale du collecteur (V)

  150

• Tension collecteur-émetteur maximale (V)

  150

• Tension de base maximale de l'émetteur (V)

  6

• Operating Junction Temperature (°C)

  -65 to 200

• Tension de saturation maximal d'émetteur de base (V)

  0.8@1mA@10mA|1.2@15mA@150mA

• Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)

  0.2@1mA@10mA|0.4@15mA@150mA

• Courant collecteur CC maximal (A)

  0.3

• Gain de courant CC minimal

  35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|20@300mA@10V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  1000

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -65

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  200

• Échelle de température du fournisseur

  Military

• Diamètre

  9.4(Max)

• Installation

  Through Hole

• Hauteur du paquet

  6.6(Max)

• Carte électronique changée

  3

• Nom de lemballage standard

  TO

• Conditionnement du fournisseur

  TO-39

• Décompte de broches

  3

• Forme de sonde

  Through Hole