製品技術仕様
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Obsolete
Code HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
Si
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
P
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
55
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
1
Courant de drain continu maximal (A)
14
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
105@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
31@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
31
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
660@50V
Dissipation de puissance maximale (mW)
33000
Temps de descente type (ns)
9.5
Temps de montée type (ns)
24
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
21
Délai type de mise en marche (ns)
9.5
Température de fonctionnement minimale (°C)
-40
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Emballage
Tube
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
93@10V|150@4.5V
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
16(Max)
Largeur du paquet
4.8(Max)
Longueur du paquet
10.6(Max)
Carte électronique changée
3
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
TO-220FP
Décompte de broches
3
Forme de sonde
Through Hole