You may be eligible for better pricing on this part. Login in to check
製品技術仕様
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single
Prozesstechnologie
HEXFET
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
75
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
209
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
4.5@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
410@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
410
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
13000@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
470000
Typische Abfallzeit (ns)
130
Typische Anstiegszeit (ns)
190
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
130
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
23
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tube
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
20.7(Max)
Verpackungsbreite
5.31(Max)
Verpackungslänge
15.87(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-247AC
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole
注文数量