MOSFET

IRFH5007TRPBF

Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R

Infineon Technologies AG

製品技術仕様

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Obsolete

• Code HTS

  COMPONENTS

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Single Quad Drain Triple Source

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  75

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±20

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  4

• Courant de drain continu maximal (A)

  17

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  5.9@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  65@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  65

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  4290@25V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  3600

• Temps de descente type (ns)

  11

• Temps de montée type (ns)

  14

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  30

• Délai type de mise en marche (ns)

  10

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tape and Reel

• Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)

  5.1@10V

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  0.81

• Largeur du paquet

  6

• Longueur du paquet

  5

• Carte électronique changée

  8

• Nom de lemballage standard

  QFN

• Conditionnement du fournisseur

  PQFN EP

• Décompte de broches

  8