MOSFET

IPG20N10S4L35ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

製品技術仕様

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Dual Dual Drain

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  2

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  100

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±16

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2.1

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  20

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  35@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  13.4@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  13.4

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  850@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  43000

• Typische Abfallzeit (ns)

  13

• Typische Anstiegszeit (ns)

  2

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  18

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  3

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  29@10V|38@4.5V

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1

• Verpackungsbreite

  5.9

• Verpackungslänge

  5.15

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SON

• Lieferantenverpackung

  TDSON EP

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  No Lead