MOSFET

IPB180P04P4L02ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

製品技術仕様

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quint Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  P

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  40

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  5

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2.2

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 175

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  180

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  2.4@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  220@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  220

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  14400@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  150000

• Typische Abfallzeit (ns)

  119

• Typische Anstiegszeit (ns)

  28

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  146

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  32

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive

• Verpackung

  Tape and Reel

• Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)

  720

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  4.4

• Verpackungsbreite

  9.25

• Verpackungslänge

  10

• Leiterplatte geändert

  6

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  D2PAK

• Stiftanzahl

  7