MOSFET

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Infineon Technologies AG

製品技術仕様

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  80

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  3.8

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 175

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  120

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  3.1@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  69@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  69

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  15

• Typische Gate-Source-Ladung (nC)

  24

• Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)

  166

• Typische Schaltladung (nC)

  26

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  4800@40V

• Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)

  36@40V

• Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)

  2.2

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  790

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  167000

• Typische Abfallzeit (ns)

  12

• Typische Anstiegszeit (ns)

  18

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  37

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  18

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  2.7@10V|3.6@6V

• Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)

  480

• Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)

  40

• Typische Dioden-Durchlassspannung (V)

  0.94

• Typische Gate-Plateau-Spannung (V)

  5

• Typische Sperrerholungszeit (ns)

  73

• Max. Dioden-Durchlassspannung (V)

  1.2

• Typische Gate-Schwellwertspannung (V)

  3

• Max. Gate-Widerstand (Ohm)

  2.3

• Max. positive Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  4.4

• Verpackungsbreite

  9.25

• Verpackungslänge

  10

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  D2PAK

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Gull-wing