MOSFET

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

onsemi

製品技術仕様

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  COMPONENTS

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Prozesstechnologie

  0.18um to 2um

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  100

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  7

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  24@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  7.6@4.5V, 15.3@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  15.3

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  969@50V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  2300

• Typische Abfallzeit (ns)

  2.5

• Typische Anstiegszeit (ns)

  2.3

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  19

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  7.1

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.73

• Verpackungsbreite

  3.3

• Verpackungslänge

  3.3

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  DFN

• Lieferantenverpackung

  WDFN EP

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  No Lead

• Family/Series

  FDMC86102LZ

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• Quantity Packaging

  3000

• MSL

  1