製品技術仕様
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Seven Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4.5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
300
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
5
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
2@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
95@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
95
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
6970@50V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
429000
Typische Abfallzeit (ns)
9
Typische Anstiegszeit (ns)
25
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
36
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
31
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
2.3
Verpackungsbreite
10.38
Verpackungslänge
9.9
Leiterplatte geändert
8
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
HPSOF
Stiftanzahl
9
注文数量