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MOSFET

CSD25483F4

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PicoStar T/R

Texas Instruments

製品技術仕様
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Small Signal
  • Konfiguration
    Single
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    P
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    20
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    -12
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    1.2
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    1.6
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    50
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    0.1
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    205@8V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    0.959@4.5V
  • Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
    0.16
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    198@10V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    500
  • Typische Abfallzeit (ns)
    7
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    3.7
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    17.4
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    4.3
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
    0.95
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    0.35(Max)
  • Verpackungsbreite
    1.04(Max)
  • Verpackungslänge
    0.64(Max)
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Lieferantenverpackung
    PicoStar
  • Stiftanzahl
    3
  • Leitungsform
    No Lead

ドキュメントとリソース

データシート
デザインリソース