MOSFET

CSD16410Q5A

Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R

Texas Instruments

製品技術仕様

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Prozesstechnologie

  NexFET

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  25

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  16

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2.3

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  16

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  8.5@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  3.9@4.5V

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  1.1

• Typische Gate-Source-Ladung (nC)

  1.8

• Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)

  14

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  570@12.5V

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  460

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  3000

• Typische Abfallzeit (ns)

  3.6

• Typische Anstiegszeit (ns)

  10.7

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  6.5

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  6.2

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  6.8@10V, 9.6@4.5V

• Typische Gate-Schwellwertspannung (V)

  1.9

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1

• Verpackungsbreite

  5.75

• Verpackungslänge

  4.9

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SON

• Lieferantenverpackung

  VSONP EP

• Stiftanzahl

  8