MOSFET
BSS308PEH6327XTSA1
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Infineon Technologies AG製品技術仕様
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Small Signal
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
2
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
5000
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
80@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
5@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
5
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.6
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.2
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
5.9
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
376@15V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
12@15V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Typische Ausgangskapazität (pF)
196
Max. Leistungsaufnahme (mW)
500
Typische Abfallzeit (ns)
2.8
Typische Anstiegszeit (ns)
7.7
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
15.3
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5.6
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
62@10V|88@4.5V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
0.5
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
8
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
250
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.8
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
3.1
Typische Sperrerholungszeit (ns)
14
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.5
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1(Max)
Verpackungsbreite
1.3
Verpackungslänge
2.9
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing

