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MOSFET

BSS308PEH6327XTSA1

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG
データシート 

製品技術仕様
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Unknown
  • Kategorie
    Small Signal
  • Konfiguration
    Single
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    P
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    30
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±20
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    1
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 150
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    2
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    5000
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    1
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    80@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    5@10V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    5
  • Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
    0.6
  • Typische Gate-Source-Ladung (nC)
    1.2
  • Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
    5.9
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    376@15V
  • Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
    12@15V
  • Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
    2
  • Typische Ausgangskapazität (pF)
    196
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    500
  • Typische Abfallzeit (ns)
    2.8
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    7.7
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    15.3
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    5.6
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Temperaturbereich Lieferant
    Automotive
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
    62@10V|88@4.5V
  • Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
    0.5
  • Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
    8
  • Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
    250
  • Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
    0.8
  • Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
    3.1
  • Typische Sperrerholungszeit (ns)
    14
  • Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
    1.1
  • Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
    1.5
  • Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
    20
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1(Max)
  • Verpackungsbreite
    1.3
  • Verpackungslänge
    2.9
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Standard-Verpackungsname
    SOT
  • Lieferantenverpackung
    SOT-23
  • Stiftanzahl
    3
  • Leitungsform
    Gull-wing

ドキュメントとリソース

データシート
デザインリソース