MOSFET

BSS138K

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

onsemi

製品技術仕様

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Small Signal

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  50

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±12

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  1.2

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  0.22

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  1000

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  0.1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  1600@5V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  2.4(Max)@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  2.4(Max)

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  0.5

• Typische Gate-Source-Ladung (nC)

  0.5

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  58@25V

• Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)

  5.2@25V

• Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)

  0.6

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  9.75

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  350

• Typische Abfallzeit (ns)

  35(Max)

• Typische Anstiegszeit (ns)

  5(Max)

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  60(Max)

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  5(Max)

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Max. positive Gate-Source-Spannung (V)

  12

• Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)

  0.88

• Max. Dioden-Durchlassspannung (V)

  1.2

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.94

• Verpackungsbreite

  1.3

• Verpackungslänge

  2.9

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  SOT-23

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Gull-wing