The ON Semiconductor MOSFETs have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. It has 1 number of elements per chip. The maximum Drain Source Voltage of the product is 50 V and Gate Source Voltage is ±20 V. Its maximum power dissipation is 360 mW. This MOSFET has an operating temperature range of -55°C to 150°C.
Features and Benefits:
• High density cell design for extremely low RDS(ON)
• Rugged and Reliable
• Compact industry standard SOT-23 surface mount package
Application:
• Small servo motor control
• Power MOSFET gate drivers
製品技術仕様
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
50
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.22
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
0.5
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
3500@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
1.7@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
1.7
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.4
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
0.1
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
27@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
6@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.8
Typische Ausgangskapazität (pF)
13
Max. Leistungsaufnahme (mW)
360
Typische Abfallzeit (ns)
7
Typische Anstiegszeit (ns)
9
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
20
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
2.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
700@10V|1000@4.5V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
0.36
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
0.88
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
350
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.8
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.4
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.3
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
0.22
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.94
Verpackungsbreite
1.3
Verpackungslänge
2.9
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
注文数量