製品技術仕様
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
EA
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
100
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
2.6
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Courant de drain continu maximal (A)
12
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
11@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
12.5@4.5V|25@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
25
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
1725@50V
Capacitance type de sortie (pF)
360
Dissipation de puissance maximale (mW)
3100
Temps de descente type (ns)
3.5
Temps de montée type (ns)
3
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
23
Délai type de mise en marche (ns)
8.5
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Échelle de température du fournisseur
Industrial
Emballage
Tape and Reel
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
9.2@10V|11.7@4.5V
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
1.5
Largeur du paquet
3.9
Longueur du paquet
4.9
Carte électronique changée
8
Nom de lemballage standard
SO
Conditionnement du fournisseur
SOIC
Décompte de broches
8
Forme de sonde
Gull-wing
注文数量