MOSFET

AO4576

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC

Alpha and Omega Semiconductor

製品技術仕様

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  30

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2.2

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  20

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  5.8@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  6.8@4.5V|15.5@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  15.5

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1037@15V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  3100

• Typische Abfallzeit (ns)

  4.3

• Typische Anstiegszeit (ns)

  3.3

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  18

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  5.5

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  4.7@10V|7.7@4.5V

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.5

• Verpackungsbreite

  3.9

• Verpackungslänge

  4.9

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  SOIC

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  Gull-wing