製品技術仕様
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
2.6
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
110@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
2.2@4.5V|4.3@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
4.3
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
197@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1400
Typische Abfallzeit (ns)
3.8
Typische Anstiegszeit (ns)
4.1
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
11.8
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
7.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
77@10V|125@4.5V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
1.6
Verpackungslänge
2.9
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing