GP BJT

2N4235

Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Microchip Technology

製品技術仕様

• RoHS EU

  Not Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.21.00.95

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  PNP

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  60

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  60

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  7

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.1@50mA@500mA|1.5@100mA@1A

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.4@50mA@500mA|0.6@100mA@1A

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  1

• Mindestgleichstromverstärkung

  40@0.1A@1V|30@250mA@1V|20@500mA@1V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Verpackung

  Bag

• Durchmesser

  9.4(Max)

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  6.6(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-39

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole