擬似静的DRAM（PSRAM）、別名CellularRAMは、携帯電話向けの低消費電力メモリデバイスのファミリです。PSRAMはSRAMとFLASHの両方のインターフェースを提供します。2000年代初頭から中期のスマートフォン以前の時代には、PSRAMは、より安価なビットあたりコストのキャッシュおよびバッファメモリソリューションを提供することでSRAMに取って代わることを目的としていました。PSRAMの容量は数メガビット（Mb）から数百Mbまでの範囲です。同期インターフェースモードにおけるPSRAMの最高速度は133MHzです。

本質的に、PSRAMはDRAMセルをSRAMまたはフラッシュインターフェースでラップします。DRAMセルはSRAMセルよりも物理的に小さいため、製造コストが安いことがあります。しかし、DRAMセルは適切なデータ保持を確保するためにオーバーヘッドが必要であり、これはユーザーから隠されPSRAM自身によって管理されます。PSRAMは単純な非同期SRAMインターフェースモードで動作可能です。また、NORフラッシュバーストインターフェースをサポートするように設定することも可能です。PSRAMはSRAMデバイスとのボールアウト互換性も考慮されています

PSRAM創設の取り組みは、Cypress Semiconductor Corporation, Micron Technology, Qimonda, Renesas Technology Corporation, Etron Technologies, and Hynix Semiconductorなどの企業によって主導されました。この作業部会は2009年以降、ほとんど活動を停止しています。