薄膜トランジスタ（TFT）は、フィールド効果トランジスタ（FET）の特殊な一種で、通常のFET設計を改良したものです。TFTはチャネル材料を絶縁体上に堆積させて作られます。多くの場合、この絶縁体はガラスであり、堆積される材料は通常シリコンです。非TFTのFETデバイスもシリコンを基盤として構築されます。薄膜シリコン層の上に、誘電体層やソース・ドレイン電極など、トランジスタの残りの構造が形成されます。

TFTディスプレイモジュールでは、各ピクセルごとに1つのトランジスタが割り当てられています。TFTトランジスタ自体のサイズは制御するピクセル全体に比べ非常に小さいため、バックライトがディスプレイの各ピクセルを通過する際にほとんど遮られません。これを可能にしているのは、基板シリコンの薄膜が非トランジスタ領域（ディスプレイの大部分）から除去され、光がガラストランジスタベースを通る障害のない経路を持つことです。もし基板が通常のシリコンであった場合、光は通過できず、ディスプレイは機能しません。