MOSFET

US6K4TR

Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R

ROHM Semiconductor

Spécifications techniques du produit

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  NRND

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Dual

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  2

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±10

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  1.5

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  180@4.5V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  1.8@4.5V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  110@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Typische Abfallzeit (ns)

  3

• Typische Anstiegszeit (ns)

  5

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  20

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  5

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.82(Max)

• Verpackungsbreite

  1.8(Max)

• Verpackungslänge

  2.1(Max)

• Leiterplatte geändert

  6

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  TUMT

• Stiftanzahl

  6