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BJT FR

JANTX2N2857

Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 300mW 4-Pin TO-72

Semicoa Semiconductors
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Not Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    NPN
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension de base maximale du collecteur (V)
    30
  • Tension collecteur-émetteur maximale (V)
    15
  • Plage de tension maximale de collecteur-émetteur (V)
    <20
  • Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
    0.4@1mA@10mA
  • Tension de base maximale de l'émetteur (V)
    3
  • Tension de saturation maximal d'émetteur de base (V)
    1@1mA@10mA
  • Courant collecteur CC maximal (A)
    0.04
  • Plage de courant collecteur CC maximale (A)
    0.001 to 0.06
  • Courant maximal de coupure d'émetteur (nA)
    10000
  • Courant de coupure de collecteur maximal (nA)
    1000
  • Conditions de fonctionnement en biais
    6V/1.5mA
  • Gain de courant CC minimal
    30@3mA@1V
  • Plage de gain de courant CC minimale
    30 to 50
  • Résistance thermique ambiante maximale de la jonction
    550
  • Résistance thermique maximale du boîtier de jonction
    300
  • Capacitance type de sortie (pF)
    1(Max)
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    300
  • Gain de puissance type (dB)
    21
  • Chiffre du bruit maximal (dB)
    4.5
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -65
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    200
  • Échelle de température du fournisseur
    Military
  • Diamètre
    5.84(Max)
  • Installation
    Through Hole
  • Hauteur du paquet
    5.33(Max)
  • Carte électronique changée
    4
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    TO-72
  • Décompte de broches
    4
Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception