Le BJT FR est un transistor bipolaire à jonction conçu pour fonctionner efficacement à des fréquences FR élevées (100 MHz environ) dans la gamme GHz. À de telles fréquences, un BJT standard présenterait des pertes de transfert d'énergie indésirables et un fonctionnement de mauvaise qualité.

Les composants du BJT FR sont très fréquemment utilisés dans les applications d'amplification de puissance. Pour les signaux à haute fréquence (FR, par exemple), ils sont conçus pour fournir une excellente réponse linéaire. Cela signifie que la proportionnalité entre le signal d'entrée et le signal de sortie reste plutôt stable, tant que les tensions de la zone linéaire sont suivies et maintenues. Ces composants peuvent également être utilisés en tant que transistors à commutation, comme un MOSFET, pour un fonctionnement en dehors de la zone linéaire et dans son mode de saturation. Dans ce cas, le signal doit être converti en modulation de largeur d'impulsion, puis transmis et amplifié à travers le BJT, où le signal original est rétabli.

Les BJT FR présentent généralement des caractéristiques supérieures à celles des MOSFET FR. Ils maintiennent une linéarité supérieure dans leur zone linéaire et sont moins coûteux pour des caractéristiques équivalentes. Ils présentent des impédances de sortie bien plus faibles et offrent un potentiel de gain beaucoup plus élevé.