You may be eligible for better pricing on this part. Login in to check
Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant with Exemption
Part Status
Active
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
20
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
24
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
2.8@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
13@4.5V, 27@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
27
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1780@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3000
Typische Abfallzeit (ns)
6.8
Typische Anstiegszeit (ns)
5.8
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
12
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
13
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.2(Max)
Verpackungsbreite
5.75
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Lieferantenverpackung
TDSON EP
Stiftanzahl
8
Quantité de commande