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MOSFET

ISC019N10NM8SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 26A

Infineon Technologies AG
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single Quad Drain Triple Source
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    100
  • Tension minimale de source barrière (V)
    20
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 175
  • Courant de drain continu maximal (A)
    26
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    1.93@15V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    106@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    106
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    6800@50V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    3000
  • Temps de descente type (ns)
    13
  • Temps de montée type (ns)
    4.4
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    36
  • Délai type de mise en marche (ns)
    17
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    175
Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception