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The ON Semiconductor MOSFET is a P channel MOSFET transistor. Its maximum power dissipation is 1300 mW. The maximum Drain Source Voltage of the product is 12 V and Gate Source Voltage is ±8 V. This MOSFET has an operating temperature range of -55°C to 150°C.
Features and Benefits:
• Ultra Low On-Resistance
• P-Channel MOSFET
• SOT-23 Footprint
• Low Profile
• Fast Switching
• Lead-Free
• RoHS Compliant
• Halogen-Free
Application:
• Portable electronics
• PCMCIA cards
Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Obsolete
Code HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
Si
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
P
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
12
Tension minimale de source barrière (V)
±8
Tension seuil de barrière maximale (V)
0.95
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Courant de drain continu maximal (A)
4.3
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
1
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
50@4.5V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
10@5V
Barrière type pour drainer la charge (nC)
2.6
Barrière type à la source de la charge (nC)
1.4
Charge de récupération inverse type (nC)
8
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
830@10V
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
125@10V
Tension seuil de barrière minimale (V)
0.4
Capacitance type de sortie (pF)
180
Dissipation de puissance maximale (mW)
1300
Temps de descente type (ns)
210
Temps de montée type (ns)
32
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
250
Délai type de mise en marche (ns)
11
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Emballage
Tape and Reel
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
75@2V, 47@3V, 39@4V, 34.5@5V, 33@6V, 32@7V
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
34
Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W)
100
Tension de plateau de barrière type (V)
1.7
Temps inverse de recouvrement type (ns)
22
Tension maximale directe de diode (V)
1.2
Tension seuil de barrière type (V)
0.55
Tension maximale de source barrière positive (V)
8
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
0.95
Largeur du paquet
1.3
Longueur du paquet
2.92
Carte électronique changée
3
Nom de lemballage standard
SOT
Conditionnement du fournisseur
SOT-23
Décompte de broches
3
Forme de sonde
Gull-wing
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