MOSFET

IRFB7530PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Obsolete

• Code HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Matériau

  Si

• Configuration

  Single

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  60

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±20

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  3.7

• Courant de drain continu maximal (A)

  295

• Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)

  100

• IDSS maximal (uA)

  1

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  2@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  274@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  274

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  13703@25V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  375000

• Temps de descente type (ns)

  104

• Temps de montée type (ns)

  141

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  172

• Délai type de mise en marche (ns)

  52

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  175

• Emballage

  Tube

• Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)

  1.65@10V, 2.1@6V

• Installation

  Through Hole

• Hauteur du paquet

  9.02(Max)

• Largeur du paquet

  4.83(Max)

• Longueur du paquet

  10.67(Max)

• Carte électronique changée

  3

• Onglet

  Tab

• Nom de lemballage standard

  TO

• Conditionnement du fournisseur

  TO-220AB

• Décompte de broches

  3

• Forme de sonde

  Through Hole

• Family/Series

  IRFB7530

• ALIAS

  SP001575524

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• Quantity Packaging

  1000