MOSFET

IMBG40R011M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  SiC

• Konfiguration

  Single Hex Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  400

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  23

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 175

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  13.4

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  14.4@18V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  85@18V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  2900@200V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  3800

• Typische Abfallzeit (ns)

  9.3

• Typische Anstiegszeit (ns)

  18.3

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  29.8

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  15.8

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  4.4

• Verpackungsbreite

  9.25

• Verpackungslänge

  10

• Leiterplatte geändert

  7

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  D2PAK

• Stiftanzahl

  8

• Family/Series

  IMBG40R011M2HXTMA1

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• Quantity Packaging

  1000

• MSL

  1