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Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
EA
SVHC
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
GaN
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
650
Tension minimale de source barrière (V)
7
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Courant de drain continu maximal (A)
29
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
80@6V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
6.2@6V
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
225@400V
Dissipation de puissance maximale (mW)
240000
Temps de descente type (ns)
4
Temps de montée type (ns)
4
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
5
Délai type de mise en marche (ns)
3
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Emballage
Tape and Reel
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
0.88
Largeur du paquet
8
Longueur du paquet
8
Carte électronique changée
8
Nom de lemballage standard
DFN
Conditionnement du fournisseur
DFN EP
Décompte de broches
8
Family/Series
GAN080-650EBE
ALIAS
9346 659 01332
ROHS Version
2011/65/EU, 2015/863
MSL
3
Quantité de commande