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MOSFET

FDN306P

Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

onsemi
Fiches techniques 

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Spécifications techniques du produit
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Konfiguration
    Single
  • Prozesstechnologie
    0.18um to 2um
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    P
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    12
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±8
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    1.5
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 150
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    2.6
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    100
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    1
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    40@4.5V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    12@4.5V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    12
  • Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
    3
  • Typische Gate-Source-Ladung (nC)
    2
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    1138@6V
  • Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
    302@6V
  • Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
    0.4
  • Typische Ausgangskapazität (pF)
    454
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    500
  • Typische Abfallzeit (ns)
    35
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    10
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    38
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    11
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
    54@1.8V, 39@2.5V, 30@4.5V
  • Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
    0.5
  • Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
    10
  • Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
    270
  • Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
    0.6
  • Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
    1.3
  • Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
    1.2
  • Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
    0.6
  • Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
    8
  • Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
    2.6
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    0.94
  • Verpackungsbreite
    1.4
  • Verpackungslänge
    2.92
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Standard-Verpackungsname
    SOT
  • Lieferantenverpackung
    SOT-23
  • Stiftanzahl
    3
  • Leitungsform
    Gull-wing
  • Family/Series
    FDN306P
  • ROHS Version
    2011/65/EU, 2015/863
  • Quantity Packaging
    3000
  • MSL
    1
Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception