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MOSFET

FDMQ8403

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.1A 12-Pin WDFN EP T/R

onsemi
Fiches techniques 

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Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Quad
  • Technologie de traitement
    0.18um to 2um
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    4
  • Tension drain-source maximale (V)
    100
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Courant de drain continu maximal (A)
    3.1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    110@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    1.7@5V, 3@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    3
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    162@50V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1900
  • Temps de descente type (ns)
    1.8
  • Temps de montée type (ns)
    1.2
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    7.2
  • Délai type de mise en marche (ns)
    4.1
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.75(Max)
  • Largeur du paquet
    4.5
  • Longueur du paquet
    5
  • Carte électronique changée
    12
  • Conditionnement du fournisseur
    WDFN EP
  • Décompte de broches
    12
  • Forme de sonde
    No Lead
Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception