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MOSFET

FDMA8051L

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

onsemi
Fiches techniques 

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Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single Quad Drain
  • Technologie de traitement
    0.35um to 2um
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    40
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    3
  • Courant de drain continu maximal (A)
    10
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    14@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    6.4@4.5V, 14@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    14
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    901@20V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    2400
  • Temps de descente type (ns)
    1.8
  • Temps de montée type (ns)
    1.8
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    17
  • Délai type de mise en marche (ns)
    6.4
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.75(Max)
  • Largeur du paquet
    2
  • Longueur du paquet
    2
  • Carte électronique changée
    6
  • Nom de lemballage standard
    DFN
  • Conditionnement du fournisseur
    WDFN EP
  • Décompte de broches
    6
  • Forme de sonde
    No Lead
Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception