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Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.21.00.40
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Quad Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
-6
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.05
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
4
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
26@4.5V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
5.8@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.8
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.1
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
19
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
778@10V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
21@10V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.45
Typische Ausgangskapazität (pF)
400
Max. Leistungsaufnahme (mW)
500
Typische Abfallzeit (ns)
28
Typische Anstiegszeit (ns)
12
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
64
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
15
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
21@4.5V, 26@2.5V, 40@1.8V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
38
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
220(Typ)
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.75
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
1.4
Typische Sperrerholungszeit (ns)
26
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
0.75
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
6
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.28(Max)
Verpackungsbreite
1.5
Verpackungslänge
1.5
Leiterplatte geändert
9
Standard-Verpackungsname
BGA
Lieferantenverpackung
DSBGA
Stiftanzahl
9
Leitungsform
Ball
Family/Series
CSD25202W15
ROHS Version
2011/65/EU, 2015/863
Quantity Packaging
3000
MSL
1
Quantité de commande