MOSFET

CSD17310Q5A

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R

Texas Instruments

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  COMPONENTS

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Single Quad Drain Triple Source

• Technologie de traitement

  0.35um

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  30

• Tension minimale de source barrière (V)

  10

• Courant de drain continu maximal (A)

  21

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  5.1@8V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  8.9@4.5V

• Barrière type pour drainer la charge (nC)

  2.1

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  1200@15V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  3100

• Temps de descente type (ns)

  5

• Temps de montée type (ns)

  11.5

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  15

• Délai type de mise en marche (ns)

  6.5

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tape and Reel

• Tension seuil de barrière type (V)

  1.3

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1

• Largeur du paquet

  5.75

• Longueur du paquet

  4.9

• Carte électronique changée

  8

• Nom de lemballage standard

  SON

• Conditionnement du fournisseur

  VSONP EP

• Décompte de broches

  8

• Family/Series

  CSD17310Q5A

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• Quantity Packaging

  2500

• MSL

  1