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Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
10
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.35
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.9
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
25
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
50
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
1190@8V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
0.216@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.027
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
0.077
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
8.1@10V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
0.13@10V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.85
Typische Ausgangskapazität (pF)
5.9
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1400
Typische Abfallzeit (ns)
7
Typische Anstiegszeit (ns)
1
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
7
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
3
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
2220@2.5V, 1170@4.5V, 990@8V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
1.4
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
1.6
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
255
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.85
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.1
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
10
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
0.9
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.36(Max)
Verpackungsbreite
0.69
Verpackungslänge
0.6
Leiterplatte geändert
3
Lieferantenverpackung
PicoStar
Stiftanzahl
3
Family/Series
CSD15380F3
ROHS Version
2011/65/EU, 2015/863
Quantity Packaging
3000
MSL
1
Quantité de commande