La DRAM pseudo-statique (PSRAM), appelée également CellularRAM, est une gamme de dispositifs à mémoire à faible consommation pour les téléphones mobiles. La PSRAM offre à la fois les interfaces SRAM et FLASH. Au milieu des années 2000, période préliminaire au smartphone, la PSRAM était destinée à remplacer la SRAM, le coût par bit de sa solution de mémoire-tampon et de son cache étant nettement plus intéressant. Les pièces de la PSRAM se classent pas capacité, de plusieurs Mbits à plusieurs centaines de Mbits. La vitesse de pointe pour la PSRAM en mode d'interface synchrone est de 133 MHz.

 

Globalement, la PSRAM enveloppe les cellules DRAM dans une SRAM ou une interface Flash. Les cellules DRAM étant physiquement plus petites que les cellules SRAM, leur production peut être moins chère. Cependant, les cellules DRAM ont besoin d'un temps système pour garantir la protection correcte des données, qui doit être cachée de l'utilisateur et gérée directement par la PSRAM. La PSRAM peut fonctionner en mode d'interface asynchrone SRAM simple. Elle peut aussi être configurée pour prendre en charge l'interface de paquet de données Flash NOR. La PSRAM est même conçue pour être compatible avec les dispositifs SRAM

 

L'initiative pour créer une PSRAM est venue de sociétés comme Cypress Semiconductor Corporation, Micron Technology, Qimonda, Renesas Technology Corporation, Etron Technologies et Hynix Semiconductor. Le groupe de travail a été largement inactif depuis 2009.