Controladores boost sincrónicos de bajo consumo 100V para FETs de GaN

El LTC7893/LTC7892 son controladores reguladores conmutadores de CC a CC de alto rendimiento que impulsan todas las etapas de potencia de transistores de efecto de campo (FET) síncronos de nitruro de galio (GaN) de canal N desde tensiones de salida de hasta 100V.    El LTC7893/LTC7892 resuelve muchos de los desafíos tradicionalmente enfrentados al usar FET GaN. Simplifica el diseño de aplicación sin requerir diodos de protección ni otros componentes externos adicionales en comparación con una solución de transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor de silicio (MOSFET).   Los interruptores de arranque inteligentes internos evitan la sobrecarga del pin BOOSTx al pin SWx, que suministra el controlador de lado alto durante los tiempos muertos, protegiendo la puerta del FET GaN superior. Los tiempos muertos del LTC7893/LTC7892 pueden optimizarse opcionalmente con resistencias externas para margen o para adaptar la aplicación para mayor eficiencia y permitir operaciones de alta frecuencia.   La tensión de conducción de puerta del LTC7893/LTC7892 puede ajustarse con precisión de 4V a 5.5V para optimizar el rendimiento y permitir el uso de diferentes FET GaN o incluso MOSFET de nivel lógico. Cuando se polariza desde la salida del regulador del convertidor elevador, el LTC7893/LTC7892 puede operar desde una fuente de alimentación de entrada tan baja como 1V después del arranque.