LTC7893/LTC7892: Controladores Boost síncronos de 100V con bajo IQ para FETs de GaN

El LTC7893/LTC7892 son controladores de reguladores de conmutación DC-DC step-up de alto rendimiento que manejan todas las etapas de potencia de transistores de efecto de campo (FET) sincrónicos de nitruro de galio (GaN) N-canal desde tensiones de salida de hasta 100V.   El LTC7893/LTC7892 soluciona muchos de los desafíos tradicionalmente enfrentados al usar FETs GaN. Simplifica el diseño de aplicaciones sin necesidad de diodos de protección ni otros componentes externos adicionales en comparación con una solución de transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de silicio (MOSFET).   Los interruptores internos de bootstrap inteligente evitan la sobrecarga del pin BOOSTx al pin SWx de los suministros del controlador de lado alto durante los tiempos muertos, protegiendo la compuerta del FET superior GaN. Los tiempos muertos del LTC7893/LTC7892 pueden optimizarse opcionalmente con resistencias externas para mayor margen o para adaptar la aplicación a una mayor eficiencia, permitiendo además operación a alta frecuencia.   El voltaje de conducción de compuerta del LTC7893/LTC7892 puede ajustarse de manera precisa desde 4V hasta 5,5V para optimizar el rendimiento y permitir el uso de distintos FETs GaN o incluso MOSFETs de nivel lógico. Cuando se alimenta desde la salida del regulador del convertidor boost, el LTC7893/LTC7892 puede operar desde un suministro de entrada tan bajo como 1V después del arranque.