Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors
8,154 Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors
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| Nº de referencia | Precio | Existencias | Fabricante | Categoría | Type | Technology | Number of SCRs/Diodes | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Maximum Breakover Voltage - (V) | Category | Bridge Type | Surge Current Rating - (A) | Material | Diode Type | Configuration | Channel Type | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Channel Mode | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Peak Average Forward Current - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Peak RMS Reverse Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Mode of Operation | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Minimum DC Current Gain | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Frequency Band | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Output Capacitance - (pF) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Minimum Frequency - (MHz) | Maximum Power 1dB Compression - (dBm) | Maximum Frequency - (MHz) | Maximum Drain-Source Resistance - (Ohm) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Rad Hard | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | ESCC Qualified | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDK02G120C5XTMA1
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Existencias
162
Desde $0.871 hasta $0.3179
Por unidad
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Infineon Technologies AG | Rectifiers | Schottky Diode | SiC | Single Dual Cathode | 1200 | 11.8 | 37 | 1.65@2A | 18 | 182(Typ) | 75000 | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS7540TRLPBF
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Existencias
3,685
Desde $0.7313 hasta $1.0806
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 3.7 | 110 | 88@10V | 88 | 4555@25V | 160000 | 5.1@10V | 4.2@10V|5.4@6V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUT300N08S5N014ATMA1
IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
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Existencias
1,930
Desde $3.21 hasta $4.96
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Seven Source | N | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 3.8 | 300 | 144@10V | 0.5 | 144 | 10137@40V | 300000 | 1.4@10V | 1.1@10V|1.6@10V | Tape and Reel | 9 | HSOF | SO | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Existencias
6,749
Desde $0.3191 hasta $0.3652
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | P | Enhancement | 1 | 55 | ±20 | 4 | 12 | 19(Max)@10V | 19(Max) | 350@25V | 45000 | 175@10V | HEXFET | Tube | 3 | TO-220AB | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFU9024NPBF
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Existencias
28,654
Desde $0.2933 hasta $0.7852
Por unidad
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Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | P | Enhancement | 1 | 55 | ±20 | 4 | 11 | 19(Max)@10V | 110 | 3.3 | 19(Max) | 350@25V | 170 | 38000 | 175@10V | Tube | 3 | IPAK | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISZ56DP15LMATMA1
Trans MOSFET P-CH 150V 1.35A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Existencias
4,832
Desde $0.3625 hasta $0.7882
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | P | Enhancement | 1 | 150 | 20 | 1.35 | 15.2@4.5V|30@10V | 30 | 1100@75V | 2500 | 560@10V | Tape and Reel | 8 | TSDSON EP | SON | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPZ60R037P7XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Existencias
42
$3.118
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Dual Source | N | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 4 | 76 | 121@10V | 121 | 5243@400V | 255000 | 37@10V | 4 | TO-247 | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Existencias
1,880
Desde $0.794 hasta $1.37
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 2 | 18 | 23@4.5V|48@10V | 48 | 3800@20V | 2100 | 4@10V | 3.3@10V|4.5@4.5V | Tape and Reel | 8 | TSDSON EP | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB60R160C6ATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Existencias
4,000
$1.6032
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 3.5 | 23.8 | 75@10V | 62 | 75 | 1660@100V | 176000 | 160@10V | 140@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AIKQB120N75CP2ALSA1
Trans IGBT Chip N-CH 750V 150A 577W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
|
Existencias
240
$10.241
Por unidad
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Infineon Technologies AG | Chip IGBT | Single | N | ±20 | 750 | 150 | 577 | Tube | 3 | TO-247 | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IMW65R060M2HXKSA1
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Existencias
170
Desde $3.295 hasta $4.112
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | SiC | Single | N | Enhancement | 1 | 650 | 23 | 32.8 | 19@18V | 669@400V | 130000 | 73@18V | Tube | 3 | TO-247 | TO | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPZA60R070CM8XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
160
Desde $2.536 hasta $3.497
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Dual Source | N | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 37 | 43@10V | 43 | 1878@400V | 201000 | 70@10V | Tube | 4 | TO-247 | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF1800R23IE7BPSA1
Trans IGBT Module N-CH 2300V 1.8KA 14-Pin Tray
|
Existencias
1
$616.37
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | Dual | N | ±20 | 2300 | 1800 | Tray | 14 | No | No | No | No | 3A228.c | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BAS3010S02LRHE6327XTSA1
Diode Schottky 1A 2-Pin TSLP T/R
|
Existencias
15,000
$0.1184
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 1 | 4 | 0.65 | 300 | Tape and Reel | 2 | TSLP | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IQDH29NE2LM5SCATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 75A 8-Pin WHSON EP T/R
|
Existencias
13
Desde $1.719 hasta $2.535
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 25 | 16 | 75 | 88@4.5V|191@10V | 191 | 13000@12V | 2500 | 0.29@10V | 8 | WHSON EP | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ058N03LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
|
Existencias
5,001
$1.0872
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 2.2 | 15 | 11@4.5V|22@10V | 2.8 | 22 | 1800@15V | 2100 | 5.8@10V | Tape and Reel | 8 | TSDSON EP | SON | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPA032N06N3GXKSA1
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
|
Existencias
468
Desde $1.6299 hasta $3.2133
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 4 | 84 | 124@10V | 124 | 10000@30V | 41000 | 3.2@10V | 2.6@10V | Tube | 3 | TO-220FP | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB60R055CFD7ATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
Existencias
410
Desde $3.849 hasta $7.27
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 4.5 | 38 | 79@10V | 79 | 3194@400V | 178000 | 550@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPW60R045CPFKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
4,148
$9.3948
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 650 | ±20 | 3.5 | 60 | 150@10V | 62 | 150 | 6800@100V | 431000 | 45@10V | Tube | 3 | TO-247 | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPA60R125CPXKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
|
Existencias
742
$3.336
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 650 | ±20 | 3.5 | 25 | 53@10V | 80 | 3.6 | 53 | 2500@100V | 35000 | 125@10V | Tube | 3 | TO-220FP | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD053N06NATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
Existencias
38,423
Desde $0.4797 hasta $0.1852
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 2.8(Typ) | 45 | 27@10V | 27 | 2000@30V | 3000 | 5.3@10V | 4.5@10V|6@6V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SMBT3904PNH6327XTSA1
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Existencias
26,848
Desde $0.0433 hasta $0.066
Por unidad
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Infineon Technologies AG | GP BJT | NPN|PNP | Bipolar Small Signal | Si | Dual | 40 | 40 | 2 | 6 | 0.85@1mA@10mA|0.95@5mA@50mA | 0.2 | 40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V | 30 to 50|50 to 120 | 0.25@1mA@10mA|0.4@5mA@50mA | 250 | Tape and Reel | 6 | SOT-363 | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
Existencias
3,200
$1.4309
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 60 | ±16 | 270 | 91@4.5V | 0.4 | 11210@50V | 380000 | 2.4@10V | 1.9@10V|2.2@4.5V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010ZSTRLPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
Existencias
2,978
Desde $1.17 hasta $2.88
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 55 | ±20 | 4 | 94 | 63@10V | 63 | 2840@25V | 140000 | 7.5@10V | 5.8@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS131IXUSA1
Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
|
Existencias
3,000
Desde $0.0386 hasta $0.3003
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Small Signal | Single | N | Enhancement | 1 | 240 | 20 | 0.109 | 1.11@4.5V|1.96@10V | 1.96 | 57@120V | 400 | 14000@10V | 3 | SOT-23 | No | No | No | EAR99 | No |