Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors
8,154 Infineon Technologies AG Diodes, Transistors and Thyristors
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| Nº de referencia | Precio | Existencias | Fabricante | Categoría | Type | Technology | Number of SCRs/Diodes | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Maximum Breakover Voltage - (V) | Category | Bridge Type | Surge Current Rating - (A) | Material | Diode Type | Configuration | Channel Type | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Channel Mode | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Peak Average Forward Current - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Peak RMS Reverse Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Mode of Operation | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Series Resistance @ Minimum IF - (Ohm) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Minimum DC Current Gain | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Frequency Band | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Output Capacitance - (pF) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Minimum Frequency - (MHz) | Maximum Power 1dB Compression - (dBm) | Maximum Frequency - (MHz) | Maximum Drain-Source Resistance - (Ohm) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Rad Hard | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | ESCC Qualified | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FP50R12KT4GBOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
|
Existencias
9
$75.05
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | Hex | N | ±20 | 1200 | 50 | 280 | Tray | 35 | ECONO3-3 | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Más Buscadas
IRLML6402TRPBF
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
|
Existencias
1,804
Desde $0.162 hasta $0.211
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | P | Enhancement | 1 | 20 | ±12 | 1.2 | 3.7 | 8@5V | 100 | 633@10V | 145 | 1300 | 65@4.5V | 80@2.5V|50@4.5V | Tape and Reel | 3 | SOT-23 | SOT | No | Yes | No | No | No | No | EAR99 | Yes | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Más Compradas
BSC600N25NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
|
Existencias
52,855
Desde $1.518 hasta $2.391
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 250 | ±20 | 4 | 25 | 22@10V | 22 | 1770@100V | 125000 | 60@10V | 50@10V | Tape and Reel | 8 | TDSON EP | SON | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Más Compradas
BAS4004E6327HTSA1
Diode Schottky Si 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
69,970
$0.146
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Schottky Diode | Si | Dual Series | 0.12 | 0.2 | 1@0.04A | 1@30V | 5 | 250 | Tape and Reel | 3 | SOT-23 | SOT | No | Yes | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IGB50N65S5ATMA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Existencias
700
Desde $2.23 hasta $3.48
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Chip IGBT | Trench Stop 5 | Single | N | ±20 | 650 | 80 | 270 | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BFR181WH6327XTSA1
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
|
Existencias
7
$0.0946
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | BJT RF | NPN | Si | Single | 12 | 20 | 1 | 2 | 0.02 | 8V/5mA | 70@5mA@8V | 50 to 120 | 0.35 | 8000(Typ) | 0.29 | 175 | 19 | 1.2(Min) | Tape and Reel | 3 | SOT-323 | SOT | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BSC098N10NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
|
Existencias
36
Desde $0.4344 hasta $0.775
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 100 | 20 | 3.8 | 60 | 22@10V | 50 | 22 | 1600@50V | 2500 | 9.8@10V | 8.2@10V|10.2@6V | Tape and Reel | 8 | TDSON EP | SON | No | Unknown | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPW60R120CM8XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
215
Desde $1.661 hasta $2.658
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 23 | 24@10V | 24 | 1045@400V | 131000 | 120@10V | Tube | 3 | TO-247 | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BSC160N15NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
|
Existencias
5,000
$1.017
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 150 | 20 | 4.6 | 56 | 19@10V | 50 | 1.3 | 19 | 1370@75V | 341 | 96000 | 16@10V | 13.7@10V|15.1@8V | Tape and Reel | 8 | TDSON EP | SON | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFS4510TRLPBF
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
Existencias
26,400
Desde $0.8836 hasta $0.9119
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 4 | 61 | 58@10V | 58 | 3180@50V | 140000 | 13.9@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP80N08S2L07AKSA1
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
|
Existencias
450
Desde $2.69 hasta $4.18
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 75 | ±20 | 2 | 80 | 183@10V | 0.5 | 183 | 5400@25V | 300000 | 7.1@10V | Tube | 3 | TO-220AB | TO | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC100N04S6L020ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
|
Existencias
5,000
$0.3973
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 40 | ±16 | 2 | 100 | 34@10V | 34 | 2111@25V | 75000 | 2.04@10V | Tape and Reel | 8 | TDSON EP | SON | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPTG029N13NM6ATMA1
Trans MOSFET N-CH 135V 24A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
|
Existencias
1,775
Desde $3.1642 hasta $1.665
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Seven Source | N | Enhancement | 1 | 135 | 20 | 24 | 104@10V | 104 | 7100@68V | 3800 | 2.8@15V | Tape and Reel | 9 | HSOG | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB60R299CPAATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
1,000
$4.07
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | ±20 | 3.5 | 11 | 22@10V | 22 | 1100@100V | 96000 | 299@10V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | Unknown | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
FS75R12KE3GBOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355W 35-Pin ECONO3-4 Tray
|
Existencias
10
Desde $134.00 hasta $154.00
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | Hex | N | ±20 | 1200 | 100 | 355 | Tray | 35 | ECONO3-4 | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF150R12KT3GHOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray
|
Existencias
6
$20.37
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | Dual | N | ±20 | 1200 | 225 | 780 | Tray | 7 | 62MM-1 | No | Unknown | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPW60R125P6XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
600
Desde $1.773 hasta $2.4124
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 600 | 20 | 4.5 | 30 | 56@10V | 62 | 0.57 | 56 | 2660@100V | 110 | 219000 | 125@10V | 113@10V | Tube | 3 | TO-247 | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD65R660CFDAATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
|
Existencias
2,500
$0.6545
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 650 | 20 | 4.5 | 6 | 20@10V | 62 | 2 | 20 | 543@100V | 62500 | 660@10V | 594@10V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | Unknown | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | Yes | Yes | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDW60C65D1XKSA1
Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
Existencias
390
Desde $0.7139 hasta $0.9705
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Switching Diode | Dual Common Cathode | 650 | 60 | 240 | 1.7@30A | 40 | 115(Typ) | 142000 | Tube | 3 | TO-247 | TO | No | Unknown | No | Unknown | Yes | Unknown | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFI4227PBF
Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
|
Existencias
8
$1.28
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single | N | Enhancement | 1 | 200 | ±30 | 5 | 26 | 73@10V | 73 | 4600@25V | 46000 | 25@10V | 21@10V | Tube | 3 | TO-220FP | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDK02G65C5XTMA2
Diode Schottky 650V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
Existencias
990
Desde $0.75 hasta $2.21
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Rectifiers | Schottky Diode | Single | 650 | 2 | 23 | 1.8 | 35 | 70(Typ) | 36000 | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP4368PBFXKMA1
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
|
Existencias
3,658
Desde $2.8383 hasta $5.2353
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Si | Single | N | Enhancement | 1 | 75 | ±20 | 4 | 350 | 380@10V | 380 | 19230@50V | 520000 | 1.85@10V | 3 | TO-247AC | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BCX55H6327XTSA1
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
|
Existencias
10,785
$0.118
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single Dual Collector | 60 | 60 | 1 | 5 | 1 | 25@5mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V | 2 to 30|30 to 50 | 0.5@50mA@500mA | 2000 | Tape and Reel | 4 | SOT-89 | SOT | No | Unknown | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Yes | EAR99 | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
FP100R12KT4BOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
|
Existencias
17
$122.92
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | Módulos IGBT | Hex | N | ±20 | 1200 | 100 | 515 | Tray | 35 | ECONO3-3 | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ0501NSIATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
|
Existencias
5,000
$0.3288
Por unidad
|
Infineon Technologies AG | MOSFETs | Power MOSFET | Single Quad Drain Triple Source | N | Enhancement | 1 | 30 | 20 | 2 | 25 | 24@10V | 24 | 1500@15V | 2100(Typ) | 2@10V | 1.7@10V|2.1@4.5V | Tape and Reel | 8 | TSDSON EP | SON | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | Yes | Yes |