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多层陶瓷电容器和聚合物钽电容器在AI服务器中的应用

人工智能 (AI)10 9月 2025
数据中心内明亮的走廊上有成排的服务器机架,绿色和蓝色的LED灯闪烁发光。
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在人工智能(AI)服务器快速发展的浪潮中,处理器和加速器的计算能力持续提升,同时伴随着功耗急剧增加和电力负载瞬变等挑战。为了在高密度计算和高速数据传输下确保系统的稳定性和效率,电源完整性(PI)和信号完整性(SI)设计变得至关重要。多层陶瓷电容器(MLCCs)和聚合物钽电容器凭借其高频响应特性、大容量储能能力和卓越的可靠性,成为AI服务器电源设计中不可或缺的核心组件。本文将介绍MLCCs和聚合物钽电容器在AI服务器中的应用,以及YAGEO推出的相关解决方案的产品特性。 

AI服务器是一个关键的增长市场

几十年来,传统服务器一直是数据中心的基石。它们旨在处理各种工作负载,包括托管网站、管理数据库和运行企业应用程序。传统服务器的架构通常包括 CPU(中央处理单元)、RAM(随机存取存储器)、存储和网络的组合。

传统服务器高度依赖CPU,它们用途广泛,能够同时处理多个任务。RAM对于快速数据访问和平稳的应用性能至关重要,而存储则由HDD(硬盘驱动器)和SSD(固态驱动器)组合而成,用于数据存储。网络提供高速接口以便在服务器内外进行数据传输。传统服务器在各个领域的数据存储和处理方面发挥着重要作用。

如今,AI服务器已经成为热门发展趋势。AI服务器针对人工智能和机器学习工作负载进行了专门优化。这些服务器配备有特殊的硬件和软件,以加速AI任务,如训练深度学习模型和进行复杂数据分析。AI服务器的关键组件包括GPU(图形处理单元)、TPU(张量处理单元)、NVMe(非易失性内存)存储和高带宽内存(HBM)。

与传统服务器不同,AI 服务器严重依赖 GPU。GPU 可以同时处理多个并行任务,使其非常适合 AI 和机器学习工作负载。TPU 是由 Google 开发的,专门设计用来加速机器学习任务。与 GPU 相比,它们在特定的 AI 工作负载中提供更高的每瓦性能。NVMe 驱动器提供显著更快的读写速度,这对于处理 AI 应用中常见的大型数据集至关重要。HBM 是一种增强的内存架构,提供更快的数据访问速度,从而减少 AI 处理中的瓶颈。

在AI服务器中,SSD(固态硬盘)用于AI的数据存储和断电保护。聚合物钽电容器可以用于企业SSD的保持。在停电期间,聚合物钽电容器释放能量以允许DRAM将数据写回NAND闪存,使其成为与企业SSD配对的关键组件。

This image illustrates the progression from better inner electrode continuity to uniform BT grain and homogenous grain structure, leading to a high-capacity product. Three circular insets show microscopic views of material structure, followed by a diagram of a layered electronic component.

MLCC满足AI服务器的功耗和电源稳定性要求

多层陶瓷电容器 (MLCCs) 广泛应用于电子产品中,但它们在 AI 服务器中的作用与传统服务器或一般电子设备中有显著不同。这些差异主要来源于功耗特性、处理器架构以及对电源稳定性需求的极大增加。

AI 服务器利用大量 GPU 和 AI 加速卡(如 NVIDIA H100、AMD MI300 等),单个卡的功耗可达数百瓦甚至超过 1 kW。由于功率负载变化迅速,因此对信号完整性(SI)和电源完整性(PI)有极高的要求。MLCC 在 AI 服务器中的核心功能包括功率去耦,以稳定处理器/GPU 的电源电压,并抑制因瞬时负载波动引起的电压下降。它们的高频响应必须更快,因此需要将低 ESL(等效串联电感)的 MLCC 阵列放置在靠近芯片封装的位置。

在滤波功能方面,需要在电源和信号路径中滤除高频噪声,以确保AI加速器和高速接口(PCIe Gen5, CXL, HBM)的信号稳定性。频率范围较宽(从数百kHz到GHz级别),需要结合各种封装和介电类型。关于大容量电容,它必须在负载骤变时提供电流,以减少VRM响应延迟对电压的影响。这增加了电容需求,必须结合使用钽电容和聚合物电容,以平衡低ESR和大容量。此外,这些电容可以用于抑制EMI/EMC,减少AI计算和高速通信产生的电磁干扰。这需要高Q值、低损耗的介电材料和为高速传输线量身定制的布局优化。

与 PC 服务器、通信设备或工业控制系统相比,AI 服务器对 MLCC 有不同的要求,包括功耗变化速度。传统服务器的 CPU/GPU 功率切换变化通常在微秒到毫秒之间,而 AI 服务器的 GPU/TPU 瞬时负载变化则快至纳秒到微秒,需超高速去耦。在电容配置方面,传统服务器主要使用微法到几百微法范围的电容值,分布在主板和 VRM 周围。AI 服务器需要更大的电容值,并且必须密集放置低 ESL MLCC 于封装附近(甚至是 0201/01005 尺寸)。

就频率响应而言,传统服务器主要在MHz级别运行,而AI服务器则必须覆盖从数百kHz到数GHz的宽带噪声抑制。关于温度和寿命要求,传统服务器通常在0~85°C或105°C的商业温度范围内运行,而AI服务器则需具有较高的可靠性,在85~125°C的环境中连续运行,并需要抵抗直流偏置效应。

此外,在封装和布局方面,传统服务器使用标准尺寸(0402~1210),而AI服务器则倾向于使用较小的封装(01005/0201)和高容量多层结构,并结合嵌入式PCB MLCC技术。对于可靠性标准,普通IEC/JEDEC等级足以满足传统服务器的要求,但AI服务器必须符合AEC-Q200或数据中心级耐用性和抗振动规格。

由于AI和大数据应用对能源的需求增加,需要更好的电磁干扰(EMI)和噪声抗性。因此,MLCC需要更多的电极层、更薄的电介质、更大的有效面积以及更高的可靠性,以实现每单位体积更高的电容和更高的有效电容。使用的材料也正在从X5R转变为X6S。高电容密度MLCC已成为AI服务器应用中的关键组件。

典型的AI服务器MLCC配置主要使用低ESL阵列,并将多个0201/01005 MLCC并联放置在接近GPU/TPU封装的位置,以提供约1纳秒的响应能力。它们还采用混合电容网络,将MLCC、聚合物电容器和钽电容器组合形成宽带滤波和能量储存结构。此外,还要求高温和高可靠性规格,例如使用X7R、X8R或C0G/NPO材料,以确保在高温和长期运行下性能稳定。使用嵌入式电容器是另一种策略;一些先进的AI主板将MLCC直接集成到PCB层中,以缩短寄生电感路径。未来的AI服务器将需要比以往更多的MLCC,但由于成本考虑,MLCC将在加速器中替代钽电容器。

从材料技术的角度来看,用于AI服务器的MLCC需要更好的内电极连通性、均匀的BT颗粒和均匀的颗粒结构。 BT核心可以提供覆盖层,而壳层则提供绝缘电阻(IR),以实现高电容产品。 更小且更均匀的BT颗粒和均匀的核心壳结构代表了更先进的设计。

This image shows a close-up view of a solid state drive (SSD) circuit board. The highlighted section identifies hold-up capacitors, which provide power loss protection. The board features multiple integrated chips and electronic components, with a clear label pointing to the capacitors.

聚合物钽电容器在AI服务器的高功率、高瞬态环境中具有优势

聚合物钽电容器主要用于AI服务器中,作为大容量、低ESR的中高频能量存储和去耦元件,与MLCCs配合形成宽带电源稳定性网络。与传统的钽或铝电解电容器相比,它们在AI服务器的高功率、高瞬态环境中提供了显著的优势。

聚合物钽电容器具有极低的ESR(等效串联电阻),聚合物电解质的ESR低至5~20毫欧姆,比传统钽电容器低一个数量级。这使它们能够在突然的GPU/TPU负载变化期间快速供电,减少电压下降。它们还表现出高纹波电流耐受性,能够处理比液体电解质更高的纹波电流,使其适合AI服务器中的高频电源开关和快速脉冲负载。

此外,聚合物钽电容器提供优异的温度稳定性,并在-55°C至+125°C范围内电性能变化极小,确保在数据中心长期满负荷运行时的稳定性。其使用寿命长,可靠性高,固态聚合物消除干燥问题,使其成为满足24/7高负载AI数据中心需求的理想选择。

聚合物钽电容器还具有低噪音,与液体电解质相比具有更优越的高频性能,确保高速接口(PCIe Gen5、CXL、HBM)的信号完整性。它们消除了“短路故障爆炸”的风险,因为聚合物导电层通常在应力下会开路失效,从而提高系统安全性并降低火灾风险。

聚合物钽电容器通常用于AI服务器的主板VRM输出、GPU/TPU电源模块和HBM内存电源区域。配置聚合物钽电容器可以通过提供大电流能量存储能力来补偿MLCC电容不足。在大容量中频滤波应用中,MLCC具有高电容和良好的高频响应,但缺乏低频能量存储;聚合物钽电容器补充μF到mF范围的电容,但需要选择高额定电压(匹配VRM输出电压裕度)。

此外,聚合物钽电容器可以用于优化电源瞬态响应。当AI加速卡从空闲过渡到满负载时,瞬时电流急剧上升(高di/dt)。此时,将低ESR聚合物钽电容器并联有助于减少瞬态电压下降。对于稳定的电源轨应用,数据中心级AI芯片对电源电压波动的容忍度非常低(±2%甚至更小),因此需要结合MLCC阵列与聚合物钽电容器以实现宽频解耦。

聚合物钽电容器在高温、高负荷环境中也能很好地适应。服务器机架内的环境温度可能超过85°C,因此必须选择额定温度在105°C到125°C之间的聚合物钽电容器。关于可靠性,由于AI服务器的停机成本很高,应使用军用级或汽车级(AEC-Q200或更高)聚合物钽电容器。

在AI服务器电源设计中,聚合物钽电容器和MLCCs具有互补关系。MLCCs处理高频解耦(MHz到GHz),提供快速响应但电容有限,而聚合物钽电容器则管理中低频能量储存和解耦(kHz到MHz),提供大电容和低ESR。常见的方法是将多个低ESL的MLCCs与几个高电容的聚合物钽电容器并联,创建一个稳定的电源网络,覆盖从kHz到GHz的全频范围。

A close-up view of a black surface mount electronic component is shown, featuring white printed numbers and symbols on its top surface.

满足AI服务器需求的高性能产品

针对AI服务器应用,YAGEO推出了高电容量MLCC——HC系列,提供X5R、X6S和X7R高电容量MLCC,电容量范围为1 µF至100 µF,封装尺寸从0201到1210,支持电压范围达到4 V~50 V。更高等级的X7R MLCC采用0402~2220封装,支持4 V~100 V的电压和1 µF~47 µF的电容量范围。这些高电容量MLCC旨在满足电子行业对小型化、更高电压和更高频率的需求,提供高度可靠的MLCC,以支持大数据处理需求,并具备更高的电容量稳定性、低ESR和增强的可靠性。

高电容HC系列X5R和X6S MLCC具有更高电容、外形小巧、适合恶劣环境连续运行、低ESR、能效、良好的VCC(电容电压系数)、高可靠性容差和坚固的端子金属,使其成为AI服务器要求的理想选择。

在聚合物钽电容产品线中,YAGEO提供用于AI服务器的A700/A720/A798铝聚合物系列。这些电容器使用表面贴装技术,可在-55°C至+105°C/125°C的温度范围内工作,支持电压从2 V到35 V,提供从6.8 µF到680 µF的电容范围,具备超低ESR(3 mΩ至70 mΩ)。它们具有非点火失效模式,采用固体对电极(无干涸),在高频下电容损失低,无电压降额,耐受125°C,低直流漏电,聚合物阴极技术,100%的加速稳态老化,100%的浪涌电流测试,自愈机制,以及符合EIA标准的外壳尺寸。

结论

总之,MLCC 和聚合物钽电容在 AI 服务器电源设计中各自发挥着不可替代的作用。前者通过超低 ESL 和出色的高频解耦性能,确保在瞬态负载下为高速计算核心提供稳定的电源供应,而后者则凭借大电容、低 ESR 和优异的中低频滤波,提供强大的能量缓冲和长期可靠性。通过在频段和负载特性上的互补协作,AI 服务器能够同时满足高性能计算、严格的电源完整性和长期稳定运行的需求。YAGEO 的新型 MLCC 和聚合物钽电容无疑将在未来 AI 基础设施的发展中发挥更为关键的作用。

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电容器钽聚合物
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