将栅极驱动与 EliteSiC 配对
EliteSiC16 8月 2024
能源基础设施应用如电动车充电、能量存储、不间断电源系统（UPS）和太阳能，将系统功率水平推向数百千瓦甚至兆瓦。这些高功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑结构，循环切换多达六个开关用于逆变器和无刷直流电机。根据功率水平和开关速度，系统设计人员寻求各类开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以最佳满足应用要求。
| EliteSiC MOSFETs | 栅极驱动器: 5kVRMS 电隔离 | ||||||
| GI: 3.75kVRMS | GI: 5kVRMS | ||||||
| 1通道 (源/漏) | 2通道 (源/漏/匹配) | ||||||
| V(BR)DSS: | RDSON (典型值): | 封装: | 4.5A / 9A | 6.5A / 6.5A | 7A / 7A | 6.5A / 6.5A / 20ns | 4.5A / 9A / 5ns |
| 650V | 12 – 95mΩ | 3-LD, 4-LD, 7-LD, TOLL, PQFN88 | 4NCP(V)51752 30V 输出摆幅 (SOIC-8) | 13NCD(V)5709x 32V 输出摆幅 (SOIC-8) | 123NCD(V)5710x 32V 输出摆幅 (SOIC-16WB) | NCD(V)575xx 32V 输出摆幅 (SOIC-16WB) | 1NCP(V)5156x 30V 输出摆幅 (SOIC-16WB) |
| 750V | 13.5mΩ | 4-LD | |||||
| 900V | 16 – 60mΩ | 3-LD, 4-LD, 7-LD | |||||
| 1200V | 14 – 160mΩ | 3-LD, 4-LD, 7-LD | |||||
| 1700V | 28 - 960mΩ | 4-LD, 7-LD | |||||
门极驱动器：峰值源电流 / 峰值漏电流 / 总传播延迟匹配
1 支持：外部负偏置关闭
2 支持：失饱和（过电流）保护
3 支持：主动米勒钳位（过电流）保护（钳制VGS防止在预期关闭时意外开启）
4 支持：内部负偏置关闭。
“V”支持汽车认证
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