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Nexperia Série NSF MOSFETs en carbure de silicium

MOSFETs23 avr. 2024
Batterie de voiture électrique en charge d'énergie à la station.
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Les véhicules électriques (EV) sont parmi les produits incontournables aujourd’hui, et les fabricants automobiles développent constamment de nouveaux modèles pour répondre à la demande. Cependant, plus importants que les EV, sont les réseaux de bornes de recharge résidentielles et publiques sur lesquels ils doivent compter. Dans une borne de recharge, la fiabilité, la sécurité et la vitesse sont d’une importance capitale, ce qui exige un choix soigné des composants dans sa conception de circuit. Cet article examine les MOSFETs en carbure de silicium de Nexperia, qui présentent une excellente stabilité thermique du RDSon, des vitesses de commutation rapides et une grande robustesse aux courts-circuits. 

Pour une commutation de puissance sûre, robuste et fiable

Répondant à la demande croissante pour des applications industrielles à haute puissance et haute tension, les MOSFETs en Carbure de Silicium de Nexperia, avec leur excellente stabilité thermique de RDSon, leur vitesse de commutation rapide et leur robustesse élevée en court-circuit, en font le produit de choix pour les infrastructures de recharge de véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques et les entraînements de moteurs.

Avantages de conception

  • Pertes de commutation très faibles

  • Récupération rapide en inverse

  • Vitesse de commutation rapide

  • Pertes de commutation à l'arrêt indépendantes de la température

  • Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste

Applications clés

  • Infrastructure de recharge pour véhicules électriques

  • Onduleurs photovoltaïques

  • Alimentation électrique à découpage

  • Alimentation électrique sans interruption

  • Entraînements de moteur

Caractéristiques techniques clés

  • Dépendance thermique RDSon de classe mondiale

  • Charge de grille supérieure et ratio de charge de grille avantageux

  • Faible consommation d'énergie des pilotes de grille

  • Haute tolérance contre l'activation parasite

  • Tolérance de tension de seuil ultra-faible

  • Diode corps robuste avec une tension directe très faible

  • Courant de fuite réduit jusqu'à 1200 V

Table displaying specifications for electronic components, including type name, package, maximum voltage, typical resistance, maximum current, and maximum operating temperature.

Technical specifications for NSF 040 120 L3 A0-Q silicon carbide FET, including resistance values, maximum reverse voltage, package types, and qualification schemes.

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Véhicules électriques (EV)

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