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Pairage du pilote de porte à EliteSiC

EliteSiC16 août 2024
De grands conteneurs blancs de stockage d'énergie sont installés à l'extérieur près de la ligne d'horizon d'une ville moderne.
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Les applications d'infrastructure énergétique telles que la recharge de véhicules électriques, le stockage d'énergie, les systèmes d'alimentation sans interruption (UPS) et le solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies en demi-pont, en pont complet et triphasées, effectuant des cycles de service jusqu'à six interrupteurs pour les onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes s'orientent vers diverses technologies de commutateurs, y compris le silicium, les IGBT et le SiC, pour mieux répondre aux exigences de l'application.

EliteSiC MOSFETsDriver de grille : Isolation galvanique 5kVRMS
GI : 3.75kVRMSGI : 5kVRMS
1 canal (source/sink)2 canaux (source/sink/matching)
V(BR)DSS:RDSON (typ):Boîtier :4,5A / 9A6,5A / 6,5A7A / 7A6,5A / 6,5A / 20ns4,5A / 9A / 5ns
650V12 – 95mΩ3-LD, 4-LD, 7-LD, TOLL, PQFN884NCP(V)51752
Swing de sortie 30V
(SOIC-8)
13NCD(V)5709x
Swing de sortie 32V
(SOIC-8)
123NCD(V)5710x
Swing de sortie 32V
(SOIC-16WB)
NCD(V)575xx
Swing de sortie 32V
(SOIC-16WB)
1NCP(V)5156x
Swing de sortie 30V
(SOIC-16WB)
750V13,5mΩ4-LD
900V16 – 60mΩ3-LD, 4-LD, 7-LD 
1200V14 – 160mΩ3-LD, 4-LD, 7-LD
1700V28 - 960mΩ4-LD, 7-LD     

Pilote de porte : Courant de crête de la source / Courant de crête de l'évier / Correspondance du délai de propagation total

1 Prend en charge : Arrêt de biais négatif externe
2 Prend en charge : Protection contre la désaturation (surcharge)
3 Prend en charge : Protection avec serrage actif Miller (surcharge) (serrage de VGS empêchant un allumage accidentel lors de l'arrêt prévu)
4 Prend en charge : Arrêt de biais négatif interne.
"V" Prend en charge la qualification automobile

A technical diagram showcasing the efficiency of EliteSiC gate drivers in various voltage swings

 Courte Description
NCP51752Drivers SiC Isolés Haute Performance 3,7 kV
NCD5709xPilote de Porte à Canal Unique Isolé 5 kV
NCD5710xPilote de Porte Isolé à Large Boîtier 16 Broches
NCD575xxPilote de Porte à Double Canal Isolé 5 kV
NCP5156XDrivers MOS/SiC Doubles à Haute Vitesse Isolés 5 kV
NCV51752Drivers SiC Isolés Haute Performance 3,7 kV
NCV5709xPilote de Porte à Canal Unique Isolé 5 kV
NCV5710xPilote de Porte Isolé à Large Boîtier 16 Broches
NCV575xPilote de Porte à Double Canal Isolé 5 kV
NCV5156xDrivers MOS/SiC Doubles à Haute Vitesse Isolés 5 kV

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