MOSFET 40V offre des gains d'efficacité pour les véhicules électriques

La demande des consommateurs et la réglementation gouvernementale continuent de stimuler une demande énorme pour les véhicules électriques (EV). Tout comme les EV sont plus efficaces que leurs prédécesseurs à essence, les nouvelles générations d'EV sont plus efficaces que les générations précédentes. Cela a principalement été rendu possible grâce aux améliorations technologiques et aux innovations, les fabricants proposant de plus en plus de solutions spécifiques aux EV. Cet article explore le DMTH4M70SPGWQ, un nouveau MOSFET 40V de Diodes conçu pour répondre aux rigueurs et aux exigences d'efficacité des applications EV.

Actuellement, l'industrie automobile traverse une grande transformation alors qu'elle passe rapidement des moteurs à combustion interne aux véhicules électriques (EVs) alimentés par batterie. Les gouvernements du monde entier adoptent des réglementations de plus en plus strictes et exigent des émissions réduites, les EVs étant le seul moyen d'atteindre ces objectifs.

Cette évolution engendre de nouvelles demandes pour l'électronique de puissance dans le secteur automobile, y compris les systèmes de charge, les systèmes de gestion du moteur, les convertisseurs et les pilotes de moteur. Dans toutes ces applications, les concepteurs exigent une meilleure efficacité des composants de puissance. En minimisant les pertes, ils peuvent améliorer l'autonomie du véhicule, ce qui constitue un différenciateur essentiel pour les acheteurs de voitures. Une meilleure efficacité réduit également la chaleur dissipée par les composants, permettant ainsi des conceptions plus compactes et diminuant les problèmes thermiques tels que la diminution de la fiabilité.

Outre l'efficacité, les ingénieurs recherchent également des composants compacts avec une faible empreinte, les aidant à concevoir des modèles à haute densité de puissance. De plus, tous les dispositifs utilisés dans les véhicules doivent être capables de fonctionner de manière fiable dans des conditions difficiles et doivent être homologués conformément aux normes automobiles appropriées.

Pour répondre à ces exigences automobiles, Diodes Incorporated a introduit le DMTH4M70SPGWQ, un MOSFET 40V qui offre une excellente efficacité. C'est le premier MOSFET annoncé par Diodes dans son nouveau boîtier PowerDI®8080-5 ; un boîtier à courant élevé et thermiquement efficace. Le MOSFET est destiné à des applications telles que les pilotes de moteur BLDC haute puissance, les convertisseurs DC-DC haute puissance, la direction assistée et les systèmes de charge.

Le nouveau MOSFET atteint le plus faible indice de mérite de tous les MOSFET 40V conformes aux normes automobiles dans le boîtier PowerDI®8080-5. Cela permet une densité de puissance plus élevée et des conceptions plus efficaces que les solutions concurrentes.

Le DMTH4M70SPGWQ présente une RDS(ON) typique de seulement 0,54mΩ avec une commande de grille de 10V, tandis que sa charge de grille est de 117nC. Cette performance de pointe dans l'industrie maximise l'efficacité du système tout en garantissant que la dissipation de puissance et les pertes de commutation sont maintenues à un minimum absolu.

Le MOSFET est qualifié AEC-Q101, compatible PPAP, et fabriqué dans des installations certifiées IATF 16949. Il est conçu pour résister à une température maximale de +175°C, ce qui le rend idéal pour des environnements à haute température ambiante. Ses broches en forme d'aile de mouette facilitent l'inspection optique (AOI) et améliorent également la fiabilité lors de cycles à haute température.

Il possède une empreinte PCB de seulement 64 mm², soit 40 % de moins que le format de boîtier TO263 (D2PAK). Il présente également un profil hors carte de 1,7 mm, soit 63 % de moins que celui d'un TO263.

La liaison par clip en cuivre entre la puce et les bornes permet une faible résistance thermique jonction-boîtier de 0,36°C/W. Cela permet au boîtier PowerDI 8080-5 de gérer des courants de drain allant jusqu'à 460A et d'offrir une densité de puissance huit fois supérieure à celle d'un boîtier TO263. Le design du clip réduit également l'inductance parasite et améliore les performances en matière d'interférences électromagnétiques (EMI).

Alors que l'industrie automobile évolue rapidement vers son avenir électrique, le DMTH4M70SPGWQ permet des conceptions à haute densité de puissance offrant une efficacité maximale pour les véhicules alimentés par batterie.