MOSFET

TK72E08N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 157A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

Toshiba

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  NRND

• Code HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Matériau

  Si

• Configuration

  Single

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  80

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±20

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  4

• Courant de drain continu maximal (A)

  157

• Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)

  100

• IDSS maximal (uA)

  10

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  4.3@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  81@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  81

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  5500@40V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  192000

• Temps de descente type (ns)

  28

• Temps de montée type (ns)

  19

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Magazine

• Installation

  Through Hole

• Hauteur du paquet

  8.59

• Largeur du paquet

  4.45

• Longueur du paquet

  10.16

• Carte électronique changée

  3

• Onglet

  Tab

• Nom de lemballage standard

  TO

• Conditionnement du fournisseur

  TO-220

• Décompte de broches

  3