MOSFET

STW78N65M5

Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

STMicroelectronics

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Catégorie

  Power MOSFET

• Matériau

  Si

• Configuration

  Single

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  650

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±25

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  5

• Courant de drain continu maximal (A)

  69

• Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)

  100

• IDSS maximal (uA)

  1

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  32@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  203@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  203

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  9000@100V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  450000

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Échelle de température du fournisseur

  Automotive

• Emballage

  Tube

• Installation

  Through Hole

• Hauteur du paquet

  20.15(Max)

• Largeur du paquet

  5.15(Max)

• Longueur du paquet

  15.75(Max)

• Carte électronique changée

  3

• Onglet

  Tab

• Nom de lemballage standard

  TO

• Conditionnement du fournisseur

  TO-247

• Décompte de broches

  3

• Forme de sonde

  Through Hole